Hallo Bernd,
Danke erst einmal für den hilfreichen Post.
Wenn man zwischen dem Gate und den anderen beiden Anschlüssen mit einem DVM (Einstellung Diodenmessung) mißt, dann erhält man sehr wohl den Eindruck, dass es zwischen G und S (und D) pn-Übergänge (also Dioden) sind.
Das habe ich auch schon festgestellt,indem ich vertrauensvolle Jfet´s gemessen habe.
Aber selbst mein Bauteileprüfer zeigt mir die China Teile als NPN an,die aus vertrauensvoller Quelle hingegen als N-Channel Jfet,hab mich da nicht alleine auf die Diodenmessung verlassen
Wenn man G auf S-Potential legt (also mit S verbindet), verhält sich D-S wie eine Konstantstromquelle, es fließt über weite Bereiche von Uds ein konstanter Strom (Idss).
Wenn man jetzt G gegenüber S negativer macht, wird die Verbindung D-S immer mehr "zugedrückt".
Ein npn-BJT sperrt jedoch schon, wenn Ub = Ue (also B mit E verbunden ist).
Dies ist glaube ich die einzig brauchbare Methode um nur mit einem Multimeter bewaffnet die teile vernünftig unterscheiden zu können.
Gruß,
Micha